Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

23 24

En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

18.1 16

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.0 12.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 19200

En 1.11 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2925 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns