Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

23 24

Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

18.1 16

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.0 12.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 19200

Por volta de 1.11 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2925 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns