Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

総合得点

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

総合得点

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

バグを報告する

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

考慮すべき理由
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 52

周辺 -86% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.6 10.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.7 8.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 17500

周辺 1.22 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

52 28
読み出し速度、GB/s

10.2 16.6
書き込み速度、GB/秒

8.2 13.7
メモリ帯域幅、mbps

17500 21300

Other

商品説明

PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2319 3007

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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