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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
52
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17500
Rund um 1.22 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.7
Speicherbandbreite, mbps
17500
21300
Other
Beschreibung
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2319
3007
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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