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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Compara
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17500
En 1.22 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17500
21300
Other
Descripción
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2319
3007
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
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