RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3126
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link