RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
2594
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link