RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
43
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3180
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link