Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Gesamtnote
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Unterschiede

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 11.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 7.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 43
    Rund um -39% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    43 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 11.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 7.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2057 left arrow 1972
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