Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Pontuação geral
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12.7 left arrow 11.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.0 left arrow 7.7
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 43
    Por volta de -39% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    43 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.7 left arrow 11.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.0 left arrow 7.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2057 left arrow 1972
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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