Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    12.7 left arrow 11.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.0 left arrow 7.7
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 43
    Около -39% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.7 left arrow 11.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.0 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2057 left arrow 1972
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения