RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
32
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.6
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
7.4
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
32
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
11.6
Скорость записи, Гб/сек
7.4
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1919
1972
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link