Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 32
    周辺 -3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 11.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.7 left arrow 7.4
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    32 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    11.5 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    1919 left arrow 1972
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