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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
総合得点
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考慮すべき理由
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
32
周辺 -3% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.6
11.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.7
7.4
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
32
31
読み出し速度、GB/s
11.5
11.6
書き込み速度、GB/秒
7.4
7.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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