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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
32
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.6
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
7.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
32
31
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1919
1972
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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