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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
32
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
32
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1919
1972
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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