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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
44
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
44
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1919
2191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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