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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
44
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
32
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1919
2191
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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