RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
32
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
32
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1919
1972
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link