RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
43
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3211
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link