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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
43
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2592
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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