RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
32
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
16.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2267
3726
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link