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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Compara
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
32
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2267
3726
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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