RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
24
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2267
3098
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link