RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
92
Rund um -171% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2902
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link