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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2267
2234
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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