RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Confronto
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
30
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
30
Velocità di lettura, GB/s
14.4
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2267
2234
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link