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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
37
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
23
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2236
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
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