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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.2
14.4
写入速度,GB/s
8.4
7.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2236
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
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Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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