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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
77
Intorno -285% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
20
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3120
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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