RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
77
Около -285% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
19.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3120
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link