RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Gesamtnote
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
26
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2267
2382
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link