RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
32
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
6.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2267
2017
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link