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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
44
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2302
3113
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
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Kingston 9905678-007.A00G 8GB
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Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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