Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Gesamtnote
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Gesamtnote
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Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 16
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,256.8 left arrow 13.4
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    32 left arrow 64
    Rund um -100% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 6400
    Rund um 3 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    64 left arrow 32
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,651.3 left arrow 16.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,256.8 left arrow 13.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    837 left arrow 1897
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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