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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
64
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
1897
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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