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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
総合得点
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,256.8
13.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
64
周辺 -100% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
64
32
読み出し速度、GB/s
4,651.3
16.0
書き込み速度、GB/秒
2,256.8
13.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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