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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
64
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
32
读取速度,GB/s
4,651.3
16.0
写入速度,GB/s
2,256.8
13.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
1897
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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