Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,256.8 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    32 left arrow 64
    Около -100% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    64 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,651.3 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,256.8 left arrow 13.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    837 left arrow 1897
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения