RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
64
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
1897
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link