RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Vergleichen Sie
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Gesamtnote
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gesamtnote
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
37
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
18
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
12.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3530
2808
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link