RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
37
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
37
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
2808
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link