RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
63
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2808
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Elpida EBJ17RG4BBWD-GN-F 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link