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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
63
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
12.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2808
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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