RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
96
Wokół strony -220% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2807
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link