RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
52
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,479.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,226.4
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,479.2
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
590
3070
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
UMAX Technology 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link