RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
53
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2902
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link