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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
53
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
34
读取速度,GB/s
3,726.4
15.8
写入速度,GB/s
1,590.1
12.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2902
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
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