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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
70
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
3,071.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
35
读取速度,GB/s
4,372.7
15.1
写入速度,GB/s
3,071.4
9.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2502
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
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Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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