RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
45
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
12.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
3178
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link