RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
54
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
2,935.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
7.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
1904
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link