RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
54
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
2,935.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
54
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
1904
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link